Главная Новости Новости отрасли

Создано первое устройство без использования полупроводниковых материалов

Создано первое устройство без использования полупроводниковых материалов

15.11.2016
Создано первое устройство без использования полупроводниковых материалов

В наше время огромное количество электронных устройств и приборов созданы на основе различных полупроводниковых материалов. Возможности таких материалов рано или поздно закончатся. Ученые давно заинтересованы в создании альтернативного решения для электронных устройств и не так давно исследователи Калифорнийского университета создали первый в мире микрочип, в котором не используются полупроводниковые материалы.

В своем изобретении ученые заменили полупроводниковые элементы на свободные электроны, которые движутся в пространстве. В конструкции лежит некий прибор, испускающий свободные электроны с особой золотой метаповерхности. Поверхность эта состоит из череды золотых полосок, грибовидной формы. Вся эта конструкция расположена на площадке покрытой диоксидом кремния.

Когда на всю эту конструкцию подается напряжение в 10 Вольт и пучок света инфракрасного лазера, на метаповерхности возникают области с высокой напряженностью электрического поля. Под воздействием этих сил электроны начинают выходить в окружающее пространство, что вызывает увеличение электропроводимости. По словам профессора Калифорнийского университета Дэна Сивенпайпера,

«Это устройство, без сомнений, не сможет заменить полупроводниковые приборы всех имеющихся на сегодняшний день типов. Но на его основе уже сегодня можно будет создать альтернативу полупроводникам, использующимся в силовой электронике или в высокочастотной технике. Теперь нам предстоит выяснить, насколько мы сможем улучшить параметры таких устройств и насколько велики могут быть значения их характеристик».

Созданное калифорнийскими учеными устройство, вполне возможно, может открыть новую страницу в микроэлектронике, ведь экспериментируя с метаповерхностями различных типов, возможно создание аналогов практически всех существующих полупровониковых структур с заметно более высокой скоростью работы.

Оставьте отзыв